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vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片

發布時間:2025-03-18 09:14:46     瀏覽:2444

  Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進制 MOS 電容芯片,每片芯片包含五個不同容量的電容,以二進制增量排列,為用戶提供了多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 先進的薄膜設備和制造技術生產,并經過 100% 電氣測試和目視檢查,符合 MIL-STD-883 標準。

vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片

  特性

  可鍵合性:支持線鍵合。

  用戶容量選擇:芯片上有五個電容,容量以二進制增量排列。

  芯片尺寸:

  CBB:0.019" x 0.048"(0402 封裝)

  CBC:0.044" x 0.044"(0404 封裝)

  容量范圍:CBB 最高 31 pF,CBC 最高 93 pF。

  介質材料:二氧化硅(Silicon Dioxide)。

  低介質損耗。

  基底材料:半導體硅,背面鍍金。

  應用場景

  CBB 和 CBC 二進制 MOS 多值電容芯片設計用于通過常規線鍵合技術添加或減去電容,以調整混合電路。

  電氣規格

參數CBBCBC單位
總容量最高 31 pF最高 93 pFpF
容量值1, 2, 4, 8, 16 pF3, 6, 12, 24, 48 pFpF
容差±10%±10%%
直流工作電壓75 V75 VV
最大工作電壓75 V75 VV
峰值電壓(+25°C)1.5 x 工作電壓1.5 x 工作電壓V
損耗因數(1 kHz, 1 VRMS, +25°C)0.10%0.10%%
Q 值(1 mHz, 50 mVRMS, +25°C)最小 1000最小 1000-
溫度系數(-55°C 至 +150°C)+15 ± 25 ppm/°C+15 ± 25 ppm/°Cppm/°C
絕緣電阻(工作電壓,+25°C)最小 10^9 Ω最小 10^9 ΩΩ
工作溫度范圍-55°C 至 +150°C-55°C 至 +150°C°C

  機械規格

參數CBBCBC
芯片尺寸0.019" x 0.048" ± 0.002"(0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm)0.044" x 0.044" ± 0.002"(1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm)
芯片厚度0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm)0.010" ± 0.002"(0.254 mm ± 0.05 mm)
芯片基底材料半導體硅半導體硅
介質材料二氧化硅(MOS)二氧化硅(MOS)
鍵合墊最小 10 k? 鋁(可選金)最小 10 k? 鋁(可選金)
背面材料最小 3 k? 金最小 3 k? 金

訂購指南:

image.png

  部分型號:

  CBB1153100BKWS

  CBB3100BKAHWS

  CBB3100BKGKWS

  CBB6200BKAHWS

  CBC6200BKAHWS

  CBC6200BKGHWS

  CBC9300BKAHWS

  CBC9300BKGHWS

  CBC9300BKGKWS


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