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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET 2025-05-29 09:00:32

  Solitron Devices 公司的 SD11714 是一款 1200V SiC N 溝道功率 MOSFET，采用 TO-257 氣密封裝，具有低導通電阻（160mΩ@25°C）和低柵極電荷，支持 17A 連續漏極電流和 97W 最大功耗，工作溫度范圍 -55°C 至 +175°C，適用于開關電源、DC-DC 轉換器、PFC 電路等高可靠性應用。