大地资源网中文第二页的在线观看-亚洲成色7777777久久-日本午夜一区二区-国产旡码高清一区二区三区-在线播放欧美A在线观看-成人免费在线观看你懂得-男女啪动最猛动态图-日韩电影伦理一区二区三区-亚洲欧洲日韩欧美一区二区

Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET

發布時間：2024-05-21 09:31:52     瀏覽：2223

Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET

　　2N5114/2N5115/2N5116是P溝道JFET晶體管，在應用中具有以下特點和規格：

　　- 封裝：T0-18

　　- 最大反向柵極源極電壓(Vgss)：30V

　　- 最大柵極電流(Igs)：-90mA(2N5114)、-60mA(2N5115)、-25mA(2N5116)

　　- 漏源電阻(RDS(on))：75Ω(2N5114)、100Ω(2N5115)、175Ω(2N5116)

　　- 符合JAN/JANTX/JANTXV標準

　　- 符合MIL-PRF-19500/476F標準

　　- 低導通電阻

　　- 可直接從TTL邏輯或CMOS切換

　　- 高關斷隔離

　　- 提供S級等效篩選選項

　　- 重量輕

　　- MicroSemi的第二來源

規格參數：

   Part Number    Package      19500/        Breakdown Voltage       Current        R
                                                                                   150N
2N5114TO-1847630V-90mA75Ω
2N5115TO-1847630V-60mA1002
2N5116TO-1847630V25mA175g
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Gate-Source Voltage30VStorage Temperature65 to 200℃
Gate Current50mAOperating Junction Temperature-65 to 200℃
Lead Temperature
1/16 from case,10 sec		300℃Power Dissipation
Derating		500mM
3mW°C@T=25℃

訂購信息：

JAN2N5115 JANTX2N5115JANTXV2N5115
JAN2N5116JANTX2N5116JANTXV2N5116

　　這些晶體管適用于需要反相開關或“虛擬接地”開關進入運算放大器的反相輸入的場合，可處理±10VAC信號，無需驅動器，僅需+5V邏輯(TTL或CMOS)。在工作時請注意絕對最大額定值，如柵極-源極電壓、存儲溫度、柵極電流、工作結溫、引線溫度、功耗。


推薦資訊

  • Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET
    Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET 2024-11-11 09:27:06

    Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計，具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點，優化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型，廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動等領域，包括工業和汽車應用，特別是車規級產品。

  • DELTA HCUVD6595電感器規格與特性
    DELTA HCUVD6595電感器規格與特性 2025-02-18 08:59:53

    DELTA HCUVD6595系列電感器提供0.2至1.0微亨的電感值范圍，最大直流電阻為0.85毫歐，可承受12至66A的飽和電流和28A的有效電流。其緊湊的物理尺寸最大為6.5x6.5x9.5毫米，適合電源管理和信號處理等多種電子應用。該系列產品在25°C、100kHz和1V條件下具有穩定的電氣特性。

在線留言

在線留言