Solitron Devices SD11710軍用級碳化硅MOSFET
發布時間:2024-01-29 08:56:45 瀏覽:2529
Solitron Devices推出的SD11710,是業界首款軍用級700V碳化硅 (SiC) N溝道功率MOSFET器件。
該SD11710采用極其堅固的氣密密封 TO-258 封裝,專為最苛刻的工業、航空航天和國防應用而設計。SD11710提供 RDS(開)16mΩ 和 50A 的連續漏極電流。也可根據要求提供 200°C 的工作溫度。

主要功能包括:
低電容和低柵極電荷
由于內部柵極電阻 (ESR) 低,開關速度快
在高結溫下穩定工作,TJ(max) = 175 °C
快速可靠的體二極管
卓越的雪崩堅固性
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關性能,且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低,效率水平比硅更高,因此在打開和關閉階段需要的開關功率更高,所需的能量更少。結合高開關頻率,這意味著磁性元件更小,大大減輕了系統重量和尺寸。
堅固的封裝與高溫運行相結合,使該SD11710非常適合要求小尺寸、輕量和高效率的最苛刻的電源和電機控制應用。
該SD11710提供 COTS、TX、TXV 和空間級篩選。樣品有現貨供應。

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Solitron Devices 公司的 SD11714 是一款 1200V SiC N 溝道功率 MOSFET,采用 TO-257 氣密封裝,具有低導通電阻(160mΩ@25°C)和低柵極電荷,支持 17A 連續漏極電流和 97W 最大功耗,工作溫度范圍 -55°C 至 +175°C,適用于開關電源、DC-DC 轉換器、PFC 電路等高可靠性應用。
PmT-S-1000是Princeton Microwave Technology Inc.生產的高性能頻率源設備,工作頻率范圍6300MHz至8300MHz,采用平行合成技術,低相位噪聲和高可靠性。具有50MHz頻率步進、15dBm輸出功率,適用于通信和雷達應用。廣泛操作溫度范圍,緊湊設計,方便安裝集成。
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